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SGL50N60RUFTU

Mfr# SGL50N60RUFTU
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description IGBT 600V 80A 250W TO264
Livret des spécifications SGL50N60RUFTU.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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La description

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Modèle de produit SGL50N60RUFTU
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description IGBT 600V 80A 250W TO264
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5373 pcs
Livret des spécifications SGL50N60RUFTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 50A
Condition de test 300V, 50A, 5.9 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 26ns/66ns
énergie de commutation 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Package composant fournisseur TO-264
Séries -
Puissance - Max 250W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 145nC
Description détaillée IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-264
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

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