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STD50N03L-1 Image
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STD50N03L-1

Mfr# STD50N03L-1
Mfr. STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
Livret des spécifications STD50N03L-1.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Plus d'information En savoir plus sur STMicroelectronics STD50N03L-1
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La description

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Modèle de produit STD50N03L-1
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 33588 pcs
Livret des spécifications STD50N03L-1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I-PAK
Séries STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1434pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 40A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)

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