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STD4NS25T4 Image
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STD4NS25T4

Mfr# STD4NS25T4
Mfr. STM
La description MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
Livret des spécifications STD4NS25T4.pdf
État RoHS / Conforme RoHS
Plus d'information En savoir plus sur STMicroelectronics STD4NS25T4
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La description

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Modèle de produit STD4NS25T4
Fabricant STM
La description MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
État sans plomb / État RoHS / Conforme RoHS
Quantité disponible 89299 pcs
Livret des spécifications STD4NS25T4.pdf
Tension - Test 355pF @ 25V
Tension - Ventilation D-Pak
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1 Ohm @ 2A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Séries MESH OVERLAY™
État RoHS Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4A (Tc)
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-8479-2
STD4NS25T4-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant STD4NS25T4
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 27nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4V @ 250µA
Fonction FET N-Channel
Description élargie N-Channel 250V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension drain-source (Vdss) -
La description MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250V
Ratio de capacité 50W (Tc)

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