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JANTX1N3911

Mfr# JANTX1N3911
Mfr. Microsemi
La description DIODE GEN PURP 200V 50A DO203AB
Livret des spécifications JANTX1N3911.pdf
État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Plus d'information En savoir plus sur MICROSEMI JANTX1N3911
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Modèle de produit JANTX1N3911
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 200V 50A DO203AB
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5682 pcs
Livret des spécifications JANTX1N3911.pdf
Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 50A
Tension - Ventilation DO-203AB (DO-5)
Séries Military, MIL-PRF-19500/308
État RoHS Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F -
Polarisation DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms 1086-15711
1086-15711-MIL
Température d'utilisation - Jonction 200ns
Type de montage Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant JANTX1N3911
Description élargie Diode Standard 200V 50A Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5)
Configuration diode 15µA @ 200V
La description DIODE GEN PURP 200V 50A DO203AB
Courant - fuite, inverse à Vr 1.4V @ 50A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200V
Capacité à Vr, F -65°C ~ 150°C

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