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V12P10HE3/86A

Mfr# V12P10HE3/86A
Mfr. Vishay / Semiconductor - Opto Division
La description DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Livret des spécifications V12P10HE3/86A.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit V12P10HE3/86A
Fabricant Vishay / Semiconductor - Opto Division
La description DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5898 pcs
Livret des spécifications V12P10HE3/86A.pdf
Tension - Inverse de crête (max) Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 12A
Tension - Ventilation TO-277A (SMPC)
Séries eSMP®, TMBS®
État RoHS Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-277, 3-PowerDFN
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant V12P10HE3/86A
Description élargie Diode Schottky 100V 12A Surface Mount TO-277A (SMPC)
Configuration diode 250µA @ 100V
La description DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Courant - fuite, inverse à Vr 700mV @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100V
Capacité à Vr, F -40°C ~ 150°C

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