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HFA16TB120STRL

Mfr# HFA16TB120STRL
Mfr. Vishay / Semiconductor - Opto Division
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
Livret des spécifications HFA16TB120STRL.pdf
État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Plus d'information En savoir plus sur Vishay Semiconductor Diodes Division HFA16TB120STRL
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Modèle de produit HFA16TB120STRL
Fabricant Vishay / Semiconductor - Opto Division
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5313 pcs
Livret des spécifications HFA16TB120STRL.pdf
Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 16A
Tension - Ventilation D2PAK
Séries HEXFRED®
État RoHS Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms VS-HFA16TB120STRL
VS-HFA16TB120STRL-ND
VSHFA16TB120STRL
VSHFA16TB120STRL-ND
Température d'utilisation - Jonction 135ns
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant HFA16TB120STRL
Description élargie Diode Standard 1200V (1.2kV) 16A Surface Mount D2PAK
Configuration diode 20µA @ 1200V
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
Courant - fuite, inverse à Vr 3V @ 16A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F -55°C ~ 150°C

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