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TSM220NB06LCR RLG

Mfr# TSM220NB06LCR RLG
Mfr. TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Livret des spécifications TSM220NB06LCR RLG.pdf
État RoHS
Plus d'information En savoir plus sur TSC (Taiwan Semiconductor) TSM220NB06LCR RLG
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Modèle de produit TSM220NB06LCR RLG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible 59701 pcs
Livret des spécifications TSM220NB06LCR RLG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-PDFN (5x6)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerLDFN
Autres noms TSM220NB06LCRRLGTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta), 35A (Tc)

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