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SPB10N10 G

Mfr# SPB10N10 G
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
Livret des spécifications SPB10N10 G.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit SPB10N10 G
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4840 pcs
Livret des spécifications SPB10N10 G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 21µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2
Séries SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SP000102168
SPB10N10 G-ND
SPB10N10G
SPB10N10GXT
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 426pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.3A (Tc)

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