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IRF540ZLPBF

Mfr# IRF540ZLPBF
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
Livret des spécifications IRF540ZLPBF.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit IRF540ZLPBF
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 40055 pcs
Livret des spécifications IRF540ZLPBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.5 mOhm @ 22A, 10V
Dissipation de puissance (max) 92W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms *IRF540ZLPBF
SP001559652
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 36A (Tc) 92W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)

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