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IRF3515L

Mfr# IRF3515L
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
Livret des spécifications IRF3515L.pdf
État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
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Modèle de produit IRF3515L
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4053 pcs
Livret des spécifications IRF3515L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms *IRF3515L
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 150V
Description détaillée N-Channel 150V 41A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 41A (Tc)

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