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IRF1405ZS

Mfr# IRF1405ZS
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Livret des spécifications IRF1405ZS.pdf
État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
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Modèle de produit IRF1405ZS
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 6011 pcs
Livret des spécifications IRF1405ZS.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms *IRF1405ZS
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4780pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 55V
Description détaillée N-Channel 55V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)

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