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IPP80N06S3-07

Mfr# IPP80N06S3-07
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Livret des spécifications IPP80N06S3-07.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit IPP80N06S3-07
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 6000 pcs
Livret des spécifications IPP80N06S3-07.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO220-3-1
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 51A, 10V
Dissipation de puissance (max) 135W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms IPP80N06S307X
IPP80N06S307XK
SP000088067
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7768pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 55V
Description détaillée N-Channel 55V 80A (Tc) 135W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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