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IPP65R280E6XKSA1

Mfr# IPP65R280E6XKSA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
Livret des spécifications IPP65R280E6XKSA1.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit IPP65R280E6XKSA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4270 pcs
Livret des spécifications IPP65R280E6XKSA1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO-220-3
Séries CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Autres noms IPP65R280E6
IPP65R280E6-ND
SP000795268
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13.8A (Tc)

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