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IPD60R3K4CEAUMA1

Mfr# IPD60R3K4CEAUMA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
Livret des spécifications IPD60R3K4CEAUMA1.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit IPD60R3K4CEAUMA1
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 123564 pcs
Livret des spécifications IPD60R3K4CEAUMA1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 29W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms SP001422856
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 93pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 2.6A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc)

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