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BUZ30A E3045A Image
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BUZ30A E3045A

Mfr# BUZ30A E3045A
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Livret des spécifications
État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
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La description

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Modèle de produit BUZ30A E3045A
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5406 pcs
Livret des spécifications
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Séries SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms BUZ30A E3045A-ND
BUZ30AE3045A
BUZ30AE3045AT
SP000011337
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 200V
Description détaillée N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)

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