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AUIRL7766M2TR

Mfr# AUIRL7766M2TR
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Livret des spécifications AUIRL7766M2TR.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Modèle de produit AUIRL7766M2TR
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 24067 pcs
Livret des spécifications AUIRL7766M2TR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA
Vgs (Max) ±16V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DIRECTFET™ M4
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 31A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DirectFET™ Isometric M4
Autres noms SP001516036
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5305pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)

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