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FDB8444 Image
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FDB8444

Mfr# FDB8444
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
Livret des spécifications FDB8444.pdf
État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Plus d'information En savoir plus sur ON SEMICONDUCTOR FDB8444
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La description

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Modèle de produit FDB8444
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 25853 pcs
Livret des spécifications FDB8444.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263AB
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 70A, 10V
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms FDB8444TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8035pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
Description détaillée N-Channel 40V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)

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