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IRL2203NL

Mfr# IRL2203NL
Mfr. IR
La description MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
Livret des spécifications IRL2203NL.pdf
État RoHS / Conforme RoHS
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La description

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Modèle de produit IRL2203NL
Fabricant IR
La description MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
État sans plomb / État RoHS / Conforme RoHS
Quantité disponible 89489 pcs
Livret des spécifications IRL2203NL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms *IRL2203NL
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3290pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 116A (Tc)

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