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IRF3315STRRPBF

Mfr# IRF3315STRRPBF
Mfr. IR
La description MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Livret des spécifications IRF3315STRRPBF.pdf
État RoHS / Conforme RoHS
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Modèle de produit IRF3315STRRPBF
Fabricant IR
La description MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
État sans plomb / État RoHS / Conforme RoHS
Quantité disponible 131894 pcs
Livret des spécifications IRF3315STRRPBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SP001559556
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 150V
Description détaillée N-Channel 150V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)

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